السؤال 1
دايود سيليكون في توصيل أمامي يقارب هبوطه:
- 0.1 V
- 0.7 V
- 5 V
- 12 V
عرض الإجابة والشرح
الإجابة: 0.7 V
تقريب شائع للسيليكون.
تنبيه مهم: هذه الأسئلة تدريبية أصلية وليست أسئلة رسمية من NCEES، والغرض منها محاكاة طريقة التفكير لا نقل أي نموذج محمي.
طريقة استخدام النموذج
- خصص 15 إلى 20 دقيقة لحل الأسئلة قبل فتح الإجابات.
- سجل سبب كل خطأ: مفهوم، قانون، وحدة، أو استعجال.
- بعد الحل، افتح صفحة الشرح المرتبطة وراجع الكلمات المفتاحية في Handbook.
السؤال 2
Op-amp عاكس كسبه:
- Rf/Rin
- -Rf/Rin
- Rin/Rf
- 1 دائمًا
عرض الإجابة والشرح
الإجابة: -Rf/Rin
الإشارة السالبة بسبب دخل inverting.
السؤال 3
Op-amp مثالي براجعة سالبة له فرق جهد بين الدخلين تقريبًا:
- صفر
- 5 V
- لا نهائي
- يساوي الخرج
عرض الإجابة والشرح
الإجابة: صفر
virtual short في النموذج المثالي.
السؤال 4
BJT يحتاج عادة إلى:
- تيار قاعدة للتحكم
- عنوان IP
- Sampling
- Truth table
عرض الإجابة والشرح
الإجابة: تيار قاعدة للتحكم
القاعدة تتحكم في تيار المجمع.
السؤال 5
MOSFET يتحكم به غالبًا:
- جهد البوابة
- تيار الملف
- تردد الشبكة
- مقاومية النحاس
عرض الإجابة والشرح
الإجابة: جهد البوابة
هو عنصر voltage-controlled.
السؤال 6
مقوم نصف موجة يستخدم:
- دايودًا واحدًا غالبًا
- لا دايود
- أربعة محولات
- بوابة XOR
عرض الإجابة والشرح
الإجابة: دايودًا واحدًا غالبًا
يسمح بنصف الدورة.
السؤال 7
مكثف ترشيح بعد المقوم يقلل:
- التموج ripple
- العزل
- التردد الأساسي للصفر
- المقاومة دائمًا
عرض الإجابة والشرح
الإجابة: التموج ripple
يشحن ويفرغ لتنعيم الخرج.
السؤال 8
منطقة التشبع في BJT كمفتاح تعني:
- ON تقريبًا
- OFF دائمًا
- ممانعة لا نهائية
- عدم تعريف
عرض الإجابة والشرح
الإجابة: ON تقريبًا
التشبع يستخدم لحالة التشغيل كمفتاح.
السؤال 9
الكسب بالديسيبل لجهد نسبته 10 هو:
- 10 dB
- 20 dB
- 40 dB
- 100 dB
عرض الإجابة والشرح
الإجابة: 20 dB
Voltage gain dB = 20log10(10).
السؤال 10
أهم خطأ في الإلكترونيات:
- نسيان افتراض النموذج المثالي أو التقريبي
- رسم الدايود
- كتابة V
- استخدام مقاومة
عرض الإجابة والشرح
الإجابة: نسيان افتراض النموذج المثالي أو التقريبي
النموذج يحدد طريقة الحل.